近日，武漢東湖高新區(qū)正式發(fā)布《光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃》并啟動建設，據(jù)規(guī)劃，光谷核心承載區(qū)將打造一條創(chuàng)新主軸、一個核心創(chuàng)新源、三大創(chuàng)新節(jié)點和三條千億產業(yè)大道。其中創(chuàng)新主軸為高新大道，核心創(chuàng)新源在光谷科學島，三大創(chuàng)新節(jié)點位于光谷生物城、光谷中心城和武漢未來科技城，三條千億產業(yè)大道分別是關山大道、光谷五路和左嶺大道。

光谷作為世界級的光電技術中心，本次的光谷的科創(chuàng)大走廊核心承載區(qū)總規(guī)劃面積16.8平方公里的光谷科學島，位于豹澥街道南部梁子湖湖畔，被視為整條大走廊的皇冠之珠。該島主要布局各類重大科技基礎設施，引進各類國際化高端科研平臺和研究型大學，同時加大新型基礎設施建設，以及新經(jīng)濟應用場景的構建。

據(jù)相關人員介紹，光谷核心承載區(qū)將按三步走來建設，終極目標是到2049年，光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)成為具有全球影響力的科技創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)中心，全面建成“世界光谷”。光谷本次的重點布局在集成電路、存儲芯片、消費電子和智能終端等新興產業(yè)。

作為世界級的存儲中心城市，武漢存儲的實力逐漸加強，未來承擔著中國存儲崛起的重任，長江存儲和武漢新芯工廠的建成就是武漢實力的見證。

存儲器行業(yè)具有周期波動特性，從歷史表現(xiàn)上看,存儲器行業(yè)總是處于交替出現(xiàn)的漲跌循環(huán)之中,其產業(yè)周期強于電子元器件市場整體的周期性,暴漲暴跌的情況也是常見。由于行業(yè)壟斷，國產存儲產業(yè)的薄弱，國家發(fā)展存儲決心從未改變。2016年，武漢長江存儲、合肥長鑫、福建晉華等新廠的落成，加上紫光和兆易等傳統(tǒng)存儲顆粒原廠的發(fā)力，中國存儲格局逐漸顯現(xiàn)。

目前中國存儲的研發(fā)節(jié)奏正在逐步推進，中國存儲產業(yè)加速前進，武漢存儲產業(yè)隱現(xiàn)國家隊效應，是中國未來存儲發(fā)展的新希望。武漢東湖高新區(qū)未來三路與高新大道交匯處，被稱為黃金大道，這里的芯屏產業(yè)聚集，長江存儲就在這里誕生。據(jù)了解，長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團、國家集成電路基金、湖北省科投集團和湖北省集成電路基金共同投資建設，計劃分兩期建設3D NAND閃存芯片工廠，規(guī)劃總產能30萬片/月，總占地面積1968畝。

2016年年底，長江存儲一期工程開工，2019年9月，長江存儲發(fā)布64層3D NAND閃存，目前產品實現(xiàn)穩(wěn)定量產，并陸續(xù)推向市場。2020年4月，長江存儲再次發(fā)布128層3D NAND閃存，預計將于2020年年底至2021年年初實現(xiàn)量產。

作為存儲器領域國家隊代表的長江存儲，正在按照自己的研發(fā)節(jié)奏推進，在武漢光谷，長江存儲正打造屬于自己的存儲器產業(yè)鏈。

2006年成立的武漢新芯半導體是一家領先的半導體研發(fā)和制造企業(yè)，與長江存儲是鄰居，致力于NOR Flash和晶圓級Xtacking TM技術的研發(fā)。在NOR Flash行業(yè)中，XMC積累了十多年的制造經(jīng)驗，是中國乃至全球領先的NOR Flash晶圓制造商之一。目前，Xtacking TM技術平臺已引入TSV，混合鍵合和多晶片堆疊技術，為客戶提供高度靈活和創(chuàng)新的晶片級3D IC技術解決方案。

在打造存儲工廠的過程中，武漢的存儲人都是摸著石頭過河。武漢新芯表示，“自己做存儲器產業(yè)，我們沒有團隊。”武漢新芯在2006年正式開工建設，經(jīng)過了廠房建設、進設備、爬產能周期后，2008年產品才正式上市。

中國的企業(yè)在存儲領域既沒有技術優(yōu)勢，也沒有生產規(guī)模，每年進口的芯片金額高達2500億美元，在主流與DRAM和NAND Flash芯片的制造上基本是零。

《國家集成電路產業(yè)發(fā)展推進綱要》的公布給了行業(yè)機會，中國計劃徹底改善在半導體產業(yè)的被動局面，也取得了很多可喜的成績，如今，光谷科技創(chuàng)新大走廊核心承載區(qū)總體發(fā)展規(guī)劃的發(fā)布，再次給產業(yè)增強了信心。

目前，長江存儲、武漢新芯、小米總部、華為海思武漢光芯片工廠等眾多世界級的企業(yè)入駐，光谷迎來了巨大的機遇，產業(yè)集群正在形成。