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33萬(wàn)片!第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在青島高新區(qū)啟動(dòng)!

來(lái)源:高新院 achie.org 日期:2022-03-01 點(diǎn)擊:230次

  2月28日,青島高新區(qū)2022年春季重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)啟動(dòng)儀式在華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)舉辦。
 
  包括該項(xiàng)目在內(nèi)的10個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目正式啟動(dòng)建設(shè),總投資110.98億元。
 
  作為代表性開(kāi)工項(xiàng)目的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目,將建設(shè)半導(dǎo)體襯底智能生產(chǎn)工廠,加工生產(chǎn)新一代晶片襯底產(chǎn)品,有效突破我國(guó)芯片制約性難題。
 
  開(kāi)春迎來(lái)這樣高科技含量的項(xiàng)目,吹響了青島高新區(qū)打造創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展示范區(qū)和高質(zhì)量發(fā)展先行區(qū)的沖鋒號(hào),也為青島市建設(shè)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)提振信“芯”。
 
  開(kāi)局就要奔跑,起步就是沖刺!
 
  33萬(wàn)片,彌補(bǔ)第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)短板!
 
  總投資7億元的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目占地50畝,建筑面積5.4萬(wàn)平方米,項(xiàng)目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體化合物材料加工生產(chǎn)相關(guān)芯片襯底產(chǎn)品,廣泛用于光電子器件、大功率器件及通訊微波射頻器件。
 
  “我們十年如一日深耕半導(dǎo)體化合物基礎(chǔ)材料的研發(fā)和生產(chǎn),形成了藍(lán)寶石、磷化銦、碳化硅、氧化鎵等一系列第二代、第三代半導(dǎo)體化合物的技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)業(yè)化能力,致力于打造青島市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈科技創(chuàng)新平臺(tái)。”青島華芯晶元半導(dǎo)體科技有限公司董事長(zhǎng)肖迪說(shuō)。
 
  氧化鎵晶體是一種新型的超寬禁帶半導(dǎo)體,它具有禁帶寬度更大、吸收截止邊更短、生長(zhǎng)成本更低等突出優(yōu)點(diǎn),成為超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優(yōu)選材料之一,由于其在軍事、能源、醫(yī)療、環(huán)境等領(lǐng)域的重要應(yīng)用價(jià)值,近年來(lái),氧化鎵材料及器件的研究與應(yīng)用,呈現(xiàn)出顯著的加速發(fā)展勢(shì)頭,是當(dāng)前德國(guó)、日本、美國(guó)等國(guó)家的研究熱點(diǎn)和競(jìng)爭(zhēng)重點(diǎn)。
 
  此次開(kāi)工的“第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目”將建設(shè)半導(dǎo)體襯底智能生產(chǎn)工廠,加工生產(chǎn)新一代晶片襯底產(chǎn)品,有效助力突破我國(guó)芯片制約性難題,達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)第三代大尺寸半導(dǎo)體化合物晶片襯底33萬(wàn)片,年產(chǎn)值5億元,稅收2500萬(wàn)元,項(xiàng)目順利開(kāi)工標(biāo)志著華芯第三代半導(dǎo)體材料批量生產(chǎn)進(jìn)入了實(shí)質(zhì)性的階段,為我國(guó)第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)化邁出了堅(jiān)實(shí)的一步。

 

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33萬(wàn)片!第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目在青島高新區(qū)啟動(dòng)!

2022-03-01 來(lái)源:高新院 achie.org 點(diǎn)擊:230次

  2月28日,青島高新區(qū)2022年春季重點(diǎn)項(xiàng)目建設(shè)啟動(dòng)儀式在華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)舉辦。
 
  包括該項(xiàng)目在內(nèi)的10個(gè)重點(diǎn)項(xiàng)目正式啟動(dòng)建設(shè),總投資110.98億元。
 
  作為代表性開(kāi)工項(xiàng)目的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目,將建設(shè)半導(dǎo)體襯底智能生產(chǎn)工廠,加工生產(chǎn)新一代晶片襯底產(chǎn)品,有效突破我國(guó)芯片制約性難題。
 
  開(kāi)春迎來(lái)這樣高科技含量的項(xiàng)目,吹響了青島高新區(qū)打造創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展示范區(qū)和高質(zhì)量發(fā)展先行區(qū)的沖鋒號(hào),也為青島市建設(shè)新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)提振信“芯”。
 
  開(kāi)局就要奔跑,起步就是沖刺!
 
  33萬(wàn)片,彌補(bǔ)第三代半導(dǎo)體材料技術(shù)短板!
 
  總投資7億元的華芯晶元第三代半導(dǎo)體化合物晶片襯底項(xiàng)目占地50畝,建筑面積5.4萬(wàn)平方米,項(xiàng)目采用碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等第三代半導(dǎo)體化合物材料加工生產(chǎn)相關(guān)芯片襯底產(chǎn)品,廣泛用于光電子器件、大功率器件及通訊微波射頻器件。
 
  “我們十年如一日深耕半導(dǎo)體化合物基礎(chǔ)材料的研發(fā)和生產(chǎn),形成了藍(lán)寶石、磷化銦、碳化硅、氧化鎵等一系列第二代、第三代半導(dǎo)體化合物的技術(shù)儲(chǔ)備和產(chǎn)業(yè)化能力,致力于打造青島市半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈科技創(chuàng)新平臺(tái)。”青島華芯晶元半導(dǎo)體科技有限公司董事長(zhǎng)肖迪說(shuō)。
 
  氧化鎵晶體是一種新型的超寬禁帶半導(dǎo)體,它具有禁帶寬度更大、吸收截止邊更短、生長(zhǎng)成本更低等突出優(yōu)點(diǎn),成為超高壓功率器件和深紫外光電子器件的優(yōu)選材料之一,由于其在軍事、能源、醫(yī)療、環(huán)境等領(lǐng)域的重要應(yīng)用價(jià)值,近年來(lái),氧化鎵材料及器件的研究與應(yīng)用,呈現(xiàn)出顯著的加速發(fā)展勢(shì)頭,是當(dāng)前德國(guó)、日本、美國(guó)等國(guó)家的研究熱點(diǎn)和競(jìng)爭(zhēng)重點(diǎn)。
 
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